Samsung beginnt Massenproduktion des 14 nm EUV DDR5 DRAM

Samsung beginnt Massenproduktion des 14 nm EUV DDR5 DRAM

Samsung hat angekündigt, dass man mit der Massenproduktion von DRAM für zukünftigen DDR5-Speicher begonnen hat

Die Fertigung erfolgt in 14 nm mittels EUV und damit gehört sie laut Samsung zur modernsten Fertigung im DRAM-Bereich. Dazu muss man wissen, dass die Namensgebung der Fertigung im DRAM/NAND-Bereich etwas anders verläuft, als dies bei Prozessoren und GPUs der Fall ist

DRAM-Chips wurden und werden in 1x, 1y, 1z und 1a gefertigt

1a beschreibt dabei die nun in die Massenfertigung übernommenen 14 nm mit EUV

Auf 1a werden in den kommenden Jahren 1b und 1c folgen, bevor es dann in den Stufen mit 0a, 0b, 0c, ..

weitergeht

Laut Samsung wird beim DRAM in 1a eine um 20 % geringere Leistungsaufnahme bei zugleich 20 % höherer Packdichte erreicht.


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